CMP设备SG-200C
化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）是一种结合化学腐蚀和机械研磨的表面平坦化技术，广泛应用于半导体制造中。CMP技术的出现，使得制造更小、更复杂的芯片成为可能。与传统机械抛光相比，CMP不仅能够实现更高的表面平整度，还因其成本低、操作简便，成为半导体材料表面处理的主流技术。
机型介绍
本设备是一款适用于6英寸和8英寸晶圆制造的全自动化学机械抛光设备，其设计集成了多项高精度技术以确保卓越的工艺性能。该设备具备终点检测系统，能在抛光过程中实时分析晶圆状态，并在厚度达到预设值时自动停止，从而实现对最终厚度的精准控制。配合实时监控与摆动压力控制系统，进一步提高了工艺稳定性和片内均匀性。设备采用气囊柔性加压的抛光头，兼容4英寸、6英寸和8英寸晶圆，压力负载调节灵活，抛光后片内非均匀性可控制在5%以下，部分条件下甚至优于3%。在材料适应性方面，SG-200C能够处理多种半导体及相关功能材料，包括硅基材料（如Si，a-Si,polySi）、III-V族化合物半导体（如GaAs、InP、GaSb等）、第三代半导体材料（如SiC、GaN等）、红外材料（CZT、MCT等）、光电晶体（如LiNbO3、LiTaO3、SiO2等等）以及多种金属（如Au、Cu、Al、Mo、TC4等）。设备关键接触部件经过特殊表面处理，具有良好的耐腐蚀性，可适应多样化抛光介质和工艺环境。
